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更新時(shí)間：2023-08-18
室溫型HgCdTe探測(cè)器特點(diǎn)：室溫下工作；無(wú)需偏置；響應(yīng)時(shí)間短；無(wú)閃動(dòng)噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動(dòng)態(tài)范圍寬；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。
室溫型HgCdTe探測(cè)器?描述
PV-n（n表示特性波長(zhǎng)，單位是微米）系列的光電探測(cè)器是紅外光電探測(cè)器，這些裝置在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以達(dá)到好的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過(guò)近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來(lái)獲得?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤(rùn)鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測(cè)器（不帶視窗）封裝是改進(jìn)的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。
室溫型HgCdTe探測(cè)器?詳細(xì)規(guī)格
特性（@ 20ºC） | 單位 | LD-PV-3 | LD-PV-4 | LD-PV-5 | LD-PV-6 | LD-PV-8 |
特性波長(zhǎng)λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 |
探測(cè)率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W
|
≥8 x 109 ≥6.5 x 109 |
≥5 x 109 ≥3 x 109 |
≥2 x 109 ≥1 x 109 |
≥1 x 108 ≥5 x 108 |
≥8 x 107 ≥4 x 107 |
響應(yīng)度 | A/W | ≥0.5 | ≥1 | ≥1 | ≥1 | ≥0.3 |
響應(yīng)時(shí)間τ | ns | ≤350 | ≤150 | ≤120 | ≤80 | ≤4 |
響應(yīng)時(shí)間τ(加反向偏壓) | ns | ≤3 | ≤2 | ≤1 | ≤0.7 | ≤0.7 |
并聯(lián)電阻-光學(xué)面積 | Ω·cm 2 | ≥1 | ≥0.1 | ≥0.01 | ≥0.002 | ≥0.0001 |
光學(xué)面積（長(zhǎng)×寬） 或直徑 (園形) | mm x mm mm | 0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3 | ||||
工作溫度 | K | 300 | ||||
視場(chǎng), F# | deg | 90, 0.71 | ||||
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