更新時間：2023-08-18
室溫型HgCdTe探測器特點：室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；低成本；可根據(jù)客戶要求設計。
室溫型HgCdTe探測器?描述
PV-n（n表示特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是紅外光電探測器，這些裝置在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以達到好的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。
室溫型HgCdTe探測器?詳細規(guī)格
特性（@ 20ºC） | 單位 | LD-PV-3 | LD-PV-4 | LD-PV-5 | LD-PV-6 | LD-PV-8 |
特性波長λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W
|
≥8 x 109 ≥6.5 x 109 |
≥5 x 109 ≥3 x 109 |
≥2 x 109 ≥1 x 109 |
≥1 x 108 ≥5 x 108 |
≥8 x 107 ≥4 x 107 |
響應度 | A/W | ≥0.5 | ≥1 | ≥1 | ≥1 | ≥0.3 |
響應時間τ | ns | ≤350 | ≤150 | ≤120 | ≤80 | ≤4 |
響應時間τ(加反向偏壓) | ns | ≤3 | ≤2 | ≤1 | ≤0.7 | ≤0.7 |
并聯(lián)電阻-光學面積 | Ω·cm 2 | ≥1 | ≥0.1 | ≥0.01 | ≥0.002 | ≥0.0001 |
光學面積（長×寬） 或直徑 (園形) | mm x mm mm | 0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3 | ||||
工作溫度 | K | 300 | ||||
視場, F# | deg | 90, 0.71 | ||||
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